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SJ20013-1992 SJ 20013-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

标准编号:SJ 20013-1992 时间:1992-02-01 大小:KB 浏览次数:33 下载次数:5
资料名称: SJ20013-1992 SJ 20013-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
标准类别: 行业标准
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文件类型: .rar
整理时间: 1992-02-01
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实施日期: 1992-05-01(仅供参考)
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标准简介: SJ 20013-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 电子行业标准(SJ) SJ20013-1992 本规范规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

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标准名称: 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
英文名称: Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS10 GP,GT and GCT classes(仅供参考)
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