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GB/T14142-1993 GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法

标准编号:GB/T 14142-1993 时间:1993-02-06 大小:KB 浏览次数:88 下载次数:7747
资料名称: GB/T14142-1993 GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
标准类别: 国家标准
语  言: 简体中文
文件类型: .rar
整理时间: 1993-02-06
授权方式: 免费下载
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标准状态: (仅供参考)
作废日期: (仅供参考)
实施日期: 1993-10-01(仅供参考)
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标准简介: GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 国家标准(GB) GB/T14142-1993 本标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm。测量范围为0~10000cm-2。

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标准编号: GB/T 14142-1993 正在载入地址
标准名称: 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
英文名称: Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques(仅供参考)
替代情况: (仅供参考)
采标情况: NEQ ASTM F80:1985(仅供参考)
发布部门: 国家技术监督局(仅供参考)
页  数: 7页(仅供参考)
首发日期: 1993-02-06(仅供参考)
复审日期: 2004-10-14(仅供参考)
提出单位: (仅供参考)
归口单位: 全国半导体材料和设备标准化技术委员会(仅供参考)
主管部门: 国家标准化管理委员会(仅供参考)
起草单位: 峨眉半导体材料研究所(仅供参考)
相关标准: 无相关信息
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