GB/T14863-1993 GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
标准编号：GB/T 14863-1993 时间：1993-01-02 大小：KB 浏览次数：55 下载次数：7| 资料名称： | GB/T14863-1993 GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 | |
| 标准类别： | 国家标准 | ||
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 文件类型： | .rar | ||
| 整理时间： | 1993-01-02 | ||
| 授权方式： | 免费下载 | ||
| 下载方式： | FTP下载 | ||
| 等 级： |  |
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| 标准状态： | （仅供参考） | ||
| 作废日期： | （仅供参考） | ||
| 实施日期： | 1994-10-01（仅供参考） | ||
| 浏览次数： | 55次 |
| 标准简介： | GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 国家标准(GB) GB/T14863-1993 本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压?电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录Ｂ)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。 标准压缩包解压密码：www.51zbz.com |
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| 标准编号： | GB/T 14863-1993 正在载入地址 | |
| 标准名称： | 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 | |
| 英文名称： | STANDARD test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes（仅供参考） | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | （仅供参考） | |
| 发布部门： | 国家技术监督局（仅供参考） | |
| 页 数： | 平装16开， 页数：12， 字数：19千字（仅供参考） | |
| 首发日期： | 1993-12-30（仅供参考） | |
| 复审日期： | 2004-10-14（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | 信息产业部（电子）（仅供参考） | |
| 主管部门： | 信息产业部（电子）（仅供参考） | |
| 起草单位： | 机械电子工业部（仅供参考） | |
| 相关标准： | 无相关信息 | |
| 下载次数： | 7次 | |
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